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美国United Sic

产品特点
      UnitedSiC,自1999年在美国罗格斯大学成立以来,拥有业内领先的自主核心技术和可持续研发能力,目前成功研制和发布650V, 1200V, 1700V至3300V宽电压等级SiC Diodes, JFETs, FETs, Power modules等产品,设计封装包括:TO220, TO247-3L, TO247-4L, D2PAK,D2PAK-7L等多种方式。
      目前UnitedSiC的产品正在获得全球快速增长市场的普遍认可,尤其是在快速增长的电动汽车驱动市场中,UnitedSiC凭借业界最高性能、最低 R(DS)-on FET 以及 650 V 和 1200 V 两种额定电压正在迅速成为电动车动力设计师的理想产品选择,此外,我们还为工业车辆显著改善了充电时间。最后,我们出众的效率使得UnitedSiC产品成为光伏逆变器应用的理想解决方案。

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